Reactive lon-Etching
Si Deep RIE
[보쉬 프로세스 있음]
건식(RIE, DRIE) Etching 기능을 모두 제공 가능함.
프로세스 기술은 설계 요구 사항과 일치함.
Deep RIE 기능은 Si의 anisotropic etch 을 허용하며, 이는 근접 허용 오차 comb fingers, Vias, Holes, Trench etching에 유용함.
Bosch Process 전용설비 보유
: 6~8inch Si wafer Etching.
: <300um Depth 수직 Etching 기술 보유.
: 90o sidewall angle
Si deep RIE
[보쉬 프로세스 없음]
다양한 형태의 Si Etching 기술 보유.
: 직경 10um~4mm, Height 10~250um 수준의 Lens 형상 Etching 기술 보유.
: 수백 nm~수mm Pattern의 Si Etching 기술 보유.
: 8step Fresnel Lens 제작 기술 보유.